İşlemci ve ekran kartı gibi bileşenlerin üst seviyelere çıktığı günümüzde soğutma işlemleri de önem kazanıyor. Özellikle düşük güçte enerji tüketiminin önem kazandığı akıllı telefon ve tablet gibi mobil cihazların yeni yonga tasarımlarında soğutma teknolojileri çok önemli bir konu. Araştırmacılar farklı soğutma teknikleri üzerinde uzun süredir çalışıyorlar. Şimdi ise fan ve sıvı soğutma gibi tekniklerin yanında bu kez lazer ışınıyla soğutma gündeme geldi.
Kopenhag Niels Bohr Enstitüsü araştırmacıları tarafından kuantum fiziği ve nano fiziği temelleri biraraya getirilerek yarıiletkenleri soğutmak için yeni bir teknik üzerinde çalışılıyor.
Enstitüde doçent olan Koji Usami projede 160nm fabrikasyon süreciyle üretilen 1mm2 yüzeye sahip Galyum Arsenit (GaAs) yarıiletken zarlar üzerinde çalışmalarını sürdürdüklerini belirtti. Deneylerde zar lazer ışınıyla etkileşime giriyor ve bu etkileşim sonucunda mekanik hareketleri ışınlardan etkileniyor. Ardından zarlar salınım yapmaya başlıyor. Salınım sonucunda ise oda sıcaklığından eksi 269 dereceye kadar soğutma gerçekleşebiliyor.
Lazerler paradoksal olarak tüm yarıiletken materyali ısıtıyor ancak zarlar salınım seviyesinde kendisini soğutmayı başarıyor. Buna ısıtarak soğutma adı veriliyor. Araştırmacılar yıllardır bu proje üzerinde çalışıyor. Ancak ticari anlamda ne zaman ortaya çıkacağı hakkında bilgi yok.
